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摘要:
<正> In this paper we present experimental results on strong electronic excitation effects of thin C60 films induced by 2.0 GeV 136Xe. The C60 films were prepared by vacuum evaporation onto Al foils. The C60 layers on Al foils were arranged as a foil stack. The total thickness of every stack was lower than the mean projected range of the Xe ions in C60 layers plus Al foils to avoid implantation effect at the end of the ions range. The irradiation
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Synthesis
Characterization
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Strong Electronic Excitation Effect of Thin C60 Films Induced by 2.0 GeV Xe Ions
来源期刊 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版 学科 物理学
关键词 氙离子 强电子激发效应 X射线分析 拉曼光谱技术 重离子核物理 薄膜晶体
年,卷(期) 2002,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 45-46
页数 2页 分类号 O571.6
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氙离子
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