碳纳米管晶体管

• 作者: 何尧 王太宏
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管晶体管 MOS场效应晶体管 单壁碳纳米管 逻辑电路
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 1-14
• 页数: 14页
• 分类号: TN304.18|TB383|TN303
• 字数: 11450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2002.12.001

摘要

随着传统的硅材料加工技术发展到极限,寻找替代硅的材料已迫在眉睫.碳纳米管因其优良的性能将成为替代硅的理想材料.本文介绍了以碳纳米管为基础的场效应晶体管的工作原理以及独特性能.与传统的金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管相比,由于碳纳米管具有单分子、准一维、高电流密度等优良特性,所以碳纳米管晶体管将很容易突破传统硅场效应晶体管的物理极限,并且在继续减小器件尺寸、解决耗能和散热问题方面具有优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王太宏	中国科学院物理研究所	47	240	9.0	13.0
2	何尧	中国科学院物理研究所	1	5	1.0	1.0