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摘要:
用碱熔融法浸出二硫化钼中的微量硅,采用发射光谱技术进行测定,方法简便快速.准确度和精密度可满足高纯二硫化钼产品中微量硅的测定要求.
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文献信息
篇名 利用发射光谱测定高纯二硫化钼中的硅
来源期刊 中国钼业 学科 工学
关键词 高纯二硫化钼 发射光谱
年,卷(期) 2002,(4) 所属期刊栏目 分析与检测
研究方向 页码范围 38-39,43
页数 3页 分类号 TG115.3+3
字数 1933字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-2602.2002.04.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵昱 2 5 1.0 2.0
2 李广济 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
高纯二硫化钼
发射光谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国钼业
双月刊
1006-2602
61-1238/TF
大16开
西安市高新区锦业1路88号金钼股份工业园B座2层
52-144
1977
chi
出版文献量(篇)
2420
总下载数(次)
4
总被引数(次)
8817
论文1v1指导