基于EIT技术的二维头模型电特性研究

• 作者: 刘志红 徐桂芝 李有余 颜威利
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: EIT 头模型 有限元方法 反投影
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TM152
• 字数: 2328字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2373.2002.02.002

摘要

介绍了一种新的医学图象重建技术 -- 电阻抗断层成像(EIT)技术,并用于头模型电阻抗特性的研究.本文给出了二维计算机模拟头模型,采用有限元方法进行正问题的求解,用简单反投影算法进行了图象的重建,成像结果与实际模型相近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜威利	河北工业大学电气学院	48	755	17.0	26.0
2	徐桂芝	河北工业大学电气学院	61	791	15.0	27.0
3	李有余	河北工业大学电气学院	3	27	2.0	3.0
4	刘志红	河北工业大学电气学院	1	6	1.0	1.0