660-GHz频段波导型SIS混频器嵌入阻抗的特性研究

• 作者: 单文磊 史生才 张文
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 嵌入阻抗,SIS 混频器,亚毫米波,集总源
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 465-468
• 页数: 4页
• 分类号: TN773
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2002.06.014

摘要

基于三维电磁场仿真软件HFSS和类似于准光学天线的集总源法,对一660GHz超导混频器的嵌入阻抗在整个600-720GHz的工作频带范围内进行了详细的分析研究.同时,还系统地分析计算了SIS结芯片的馈点偏移(包括水平偏移和垂直偏移)及芯片厚度和背向短路器长度变化所产生的影响.分析结果表明,该混频器的嵌入阻抗为35Ω左右,而且在整个工作频带内变化缓慢,能够实现宽频带匹配.SIS结芯片馈点的位置对嵌入阻抗没有太大的影响,但芯片厚度的影响非常明显.这些结果对超导SIS混频器的研制有很好的指导意义.