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摘要:
文章介绍测量CM0S大规模集成电路电磁发射的方法:辐射方式TEM法和传导方式VDE法.提出了集成电路级传导电磁发射模型,模型计及测试接口、布局图连接线、电路封装、动态电流源及IC寄生参数等方面的影响.模型的建立,采用软件分析和实验测量相结合的方法.模型可以方便地置入常用的模拟分析器,在IC设计阶段,对10-1000MHz电路的电磁兼容特性进行预测.
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文献信息
篇名 CMOS专用电路电磁发射测量和电磁兼容性预测模型
来源期刊 电子测量与仪器学报 学科 工学
关键词 电磁兼容(EMC)的 测量 发射 建模 CMOS集成电路
年,卷(期) 2002,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-6,12
页数 7页 分类号 TN4
字数 3945字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄建文 江苏理工大学计算机系 4 28 1.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
电磁兼容(EMC)的 测量 发射 建模 CMOS集成电路
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子测量与仪器学报
月刊
1000-7105
11-2488/TN
大16开
北京市东城区北河沿大街79号
80-403
1987
chi
出版文献量(篇)
4663
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23
总被引数(次)
44770
论文1v1指导