具有高结合强度的铝基片SiOx陶瓷膜层CVD制备

• 作者: 刘涛 沈复初 王幼文 郦剑
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积(CVD) SiOx膜层 结合强度
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 表面改性热处理
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: TB43|TN304.12
• 字数: 2512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-6264.2002.04.010

摘要

采用常压CVD方法在铝合金基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层.使用SEM、TEM及XPS仪分析了膜层形貌、成分和组织结构,通过180°、90°弯曲实验和450 ℃热冲击实验考察了陶瓷膜层与基片的结合性能,证实该技术制备的膜层与基底的结合强度很高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郦剑	浙江大学材料与化工学院	81	743	15.0	23.0
2	王幼文	浙江大学测试中心	26	396	10.0	19.0
3	刘涛	浙江大学材料与化工学院	44	282	9.0	16.0
4	沈复初	浙江大学材料与化工学院	4	26	4.0	4.0