SA/PMMA的可擦除光存储特性研究

• 作者: 刘春光 刘益春 王广安 赵立竹 陆子凤
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 邻羟基亚甲基苯胺 光存储 全息光栅
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 75-80
• 页数: 6页
• 分类号: O438
• 字数: 3920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.01.018

摘要

用在聚甲基丙稀酸甲脂(PMMA)中掺杂邻羟基亚甲基苯胺(SA)样品,实现了可见光区域的可擦除光存储.以Ar+激光488.0 nrn线为写入光,He-Ne激光632.8 nm线为读出光,研究了光栅生长的动力学过程.在写入和擦除过程中,均观察到了衍射信号随时间先增强后减弱的趋势.探讨了写入光和擦除光功率对衍射信号的影响.依据相干光调制形成相位光栅和光异构产生压力梯度引起分子扩散的光物理过程对光存储机制进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘春光	东北师范大学物理系	28	74	6.0	7.0
2	陆子凤	东北师范大学理论物理研究所	13	86	6.0	9.0
3	刘益春	东北师范大学理论物理研究所	22	181	9.0	12.0
7	赵立竹	东北师范大学物理系	12	50	4.0	6.0
8	王广安	东北师范大学理论物理研究所	3	13	2.0	3.0