Nd:GdVO4的晶体生长和光谱特性

• 作者: 张庆礼 殷绍唐 王爱华 陈长水
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Nd:GdVO4 晶体生长 吸收光谱
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 光谱
• 页码范围: 310-313
• 页数: 4页
• 分类号: O433.5+1
• 字数: 2100字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2002.04.005

摘要

本文用提拉法生长出尺寸达φ30 mm×40 mm的优质Nd:GdVO4晶体,研究了其光谱特性.该晶体的吸收边为342 nm,在809 nm的吸收系数为4.61/cm.在342～2500 nm,Nd:GdVO4晶体的吸收主要为Nd3+的特征吸收.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张庆礼	中国科学院安徽光学精密机械研究所	60	592	14.0	22.0
2	殷绍唐	中国科学院安徽光学精密机械研究所	76	682	14.0	22.0
3	陈长水	中国科学院安徽光学精密机械研究所	22	132	6.0	11.0
4	王爱华	中国科学院安徽光学精密机械研究所	23	305	9.0	17.0