检测薄膜压电形变的双光束探测干涉仪的设计

• 作者: 施柏煊 陈王丽华 黄傲
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 双光束干涉仪 压电效应 弯曲效应 薄膜测量
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 光电测量
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: TH744.3
• 字数: 1736字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2002.05.013

摘要

为了检测压电薄膜的在电场作用下的微小形变,同时避免基底弯曲效应的影响,设计了一种双光束探测干涉仪,通过反馈控制和锁相检测技术,实现了高稳定度、高分辨力的目标,最小可探测形变可达到0.001nm.系统采用计算机控制测量和数据处理,使测量更加便捷、准确.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈王丽华	香港理工大学应用物理系	27	186	7.0	13.0
2	施柏煊	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	16	174	8.0	13.0
3	黄傲	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	4	42	3.0	4.0