制备温度对MgB2薄膜超导电性的影响

• 作者: 吕惠宾 周岳亮 张芹 朱亚彬 杨国桢 王淑芳 陈正豪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgB2超导薄膜, 脉冲激光沉积, 基片温度
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2842-2845
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2316字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.12.030

摘要

报道了用两步法制备MgB2超导薄膜.首先利用脉冲激光沉积技术制备B膜,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理,通过扩散反应生成MgB2超导薄膜.采用扫描电子显微镜、x射线衍射、电阻测量和磁测量技术分析了前驱物B膜的制备温度对扩散产物MgB2薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度和临界电流密度的影响.结果表明,随着B膜制备温度的降低,MgB2薄膜中晶粒粒度减小、c取向的衍射线宽化、超导转变温度升高、临界电流密度增大.300℃时制备的MgB2超导薄膜的超导起始转变温度为39.5K,临界电流密度为1.3×107A*cm-2(0T,15K).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕惠宾	中国科学院物理研究所光物理开放实验室	21	125	7.0	10.0
2	陈正豪	中国科学院物理研究所光物理开放实验室	22	163	9.0	12.0
3	周岳亮	中国科学院物理研究所光物理开放实验室	24	142	6.0	11.0
4	王淑芳	中国科学院物理研究所光物理开放实验室	12	139	5.0	11.0
5	杨国桢	中国科学院物理研究所光物理开放实验室	25	69	5.0	7.0
6	朱亚彬	中国科学院物理研究所光物理开放实验室	4	14	3.0	3.0
7	张芹	中国科学院物理研究所光物理开放实验室	4	32	3.0	4.0