高亮度发光二极管外量子效率的计算

• 作者: 刘颂豪 廖常俊 文尚胜 范广涵 邓云龙
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: HB-LED 内量子效率 外量子效率 电流密度分布
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 光电技术与材料
• 页码范围: 65-69
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4|TN383+.1
• 字数: 3136字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2002.01.015

摘要

本文对典型结构高亮度发光二极管(HB-LED)的注入电流扩展以及器件的光输出进行了详细的理论分析,结果表明具有较厚顶层的器件容易实现注入电流的扩展,而具有较厚的底层即具有透明衬底的器件容易实现光耦合输出,因此引入较厚顶层和底层是提高LED的外量子效率的有效手段.最后分别计算出不同顶层厚度下具有吸收衬底和透明衬底的LED的外量子效率,这两类LED最大外量子效率分别为12.05%和20.12%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学量子电子学研究所	147	1064	16.0	26.0
2	刘颂豪	华南师范大学量子电子学研究所	308	3297	27.0	39.0
3	文尚胜	华南理工大学应用物理系	96	434	11.0	15.0
4	廖常俊	华南师范大学量子电子学研究所	92	843	15.0	23.0
5	邓云龙	华南师范大学量子电子学研究所	4	16	3.0	4.0