MoSi2-Mo5Si3复合材料的低温氧化行为

• 作者: 刘心宇 左铁镛 王德志
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: MoSi2 Mo5Si3 低温氧化
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.4+12
• 字数: 2031字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2002.01.012

摘要

通过热重分析(TGA)、 X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了MoSi2-Mo5Si3复合材料的低温氧化行为, 指出材料低温氧化时, 随Mo5Si3量增多, 材料氧化加剧, 当Mo5Si3含量超过16%(质量分数)时发生"PEST"现象, 所形成的SiO2由于MoO3晶须的大量存在, 使其不能均匀连续地分布于材料表面, 从而加剧了氧化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左铁镛		133	2734	29.0	48.0