神经网络-遗传算法优化SiC/(Mo,W)Si2纳米复合材料制备工艺

• 作者: 刘勋 彭可 易茂中 杨琳 葛毅成
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: MoSi2 纳米复合材料 人工神经网络 遗传算法 工艺优化
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 理论研究
• 页码范围: 15-20
• 页数: 6页
• 分类号: TG148
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0224.2010.01.003

摘要

应用人工神经网络对SiC/(Mo,W)Si2纳米复合材料热压工艺与材料力学性能的关系进行拟合和预测,并结合遗传算法优化材料的制备工艺.结果表明,SiC/(Mo,W)Si2纳米复合材料的最佳工艺参数为:n(WSi2)/n(MoSi2)为0.48、SiC含量(体积分数)17.2%、热压温度1 704℃、保温时间55 min.在该工艺条件下制备的SiC/(Mo,W)Si2纳米复合材料抗弯强度为734 MPa,预测值为745 MPa,与实验值的相对误差仅为1.6%.人工神经网络建模与遗传算法寻优相结合,为解决多维非线性系统的优化问题提供了一个崭新而有效的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	易茂中	中南大学粉末冶金国家重点实验室	144	1058	17.0	23.0
2	葛毅成	中南大学粉末冶金国家重点实验室	75	538	13.0	18.0
3	彭可	中南大学粉末冶金国家重点实验室	62	490	12.0	19.0
4	刘勋	中南大学粉末冶金国家重点实验室	14	75	5.0	8.0
5	杨琳	中南大学粉末冶金国家重点实验室	51	328	10.0	15.0