半导体激光器的主要失效机理及其与芯片烧结工艺的相关性

• 作者: 安振峰 黄云
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 半导体激光器 失效机理 功率退化烧结工艺
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TN284.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2002.05.003

摘要

分析了GaAs/GaAlAs高功率半导体激光器的暗线缺陷、腔面损伤退化和电极退化等主要失效机理及主要失效模式,通过样品老化试验,从微观物理角度分析了光功率输出下降与芯片烧结工艺相关性,明确了烧结焊料引起PN结短路、烧结空隙、焊料沾污等是导致半导体激光器退化的一个主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄云		21	234	10.0	14.0
2	安振峰		2	30	2.0	2.0