Sb2O3和In2O3对ZnO压敏电阻器性能的影响

• 作者: 李明明 陈洪存
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 非线性系数 漏电流 击穿电场强度 三氧化铅 三氯化二铟 氧化锌压敏电阻
• 年，卷（期）: dzyqjyy_2002,（7）
• 页码范围: 17-18
• 页数: 2页
• 分类号: TM544.5

摘要

研究了Sb2O3和In2O3对ZnO压敏电阻器性能的影响，适当添Sb2O3和In2O3可全面提高ZnO压敏电阻器的性能，使其击穿电场强度达326V／mm，漏电流小于1μA，非线性系数α值达107，通流量高达4kA/cm^2。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈洪存	山东大学物理系	40	335	12.0	15.0
2	李明明	济南大学物理系	15	76	4.0	8.0