用于T形栅光刻的新型移相掩模技术

• 作者: 崔铮 张倩 樊照田 王维军 王育中 田振文 陈宝钦 韩安云
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光学光刻 移相掩模 T形栅 M-PEL
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1810字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2002.05.009

摘要

根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术--M-PEL.初步实验证明,M-pEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈宝钦	中国科学院微电子中心	50	361	11.0	16.0
2	崔铮		8	189	5.0	8.0
3	韩安云		1	2	1.0	1.0
4	王育中		1	2	1.0	1.0
5	王维军		1	2	1.0	1.0
6	张倩		1	2	1.0	1.0
7	田振文		1	2	1.0	1.0
8	樊照田		1	2	1.0	1.0