射频阱中基态Sc3+与Ti3+多电荷离子的产生及存储特性

• 作者: 李交美 聂宗秀 蒋玉蓉 高克林
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频离子阱 多电荷离子 激光溅射
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 激光物理与激光化学
• 页码范围: 149-152
• 页数: 4页
• 分类号: O431.2
• 字数: 2202字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2002.02.014

摘要

结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉的离子束碰撞冷却方法,在射频阱中用激光溅射纯金属靶产生并选择囚禁了难熔元素钪与钛的低能多电荷离子Scn+(n=1～3)和Tin+(n=1～4).在本底气压为5.6×10-7 Pa下,测得Sc3+与Ti3+离子的衰减速率分别为1.98 s-1与0.58 s-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋玉蓉	中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室	23	108	6.0	9.0
5	聂宗秀	北京理工大学光电工程系	1	2	1.0	1.0
6	李交美	北京理工大学光电工程系	1	2	1.0	1.0
7	高克林	北京理工大学光电工程系	1	2	1.0	1.0