半导体光放大器静态增益饱和特性的理论研究

• 作者: 洪伟 黄德修
• 来源期刊: 华中科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体光放大器 增益饱和 放大的自发辐射
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 页码范围: 67-69,72
• 页数: 4页
• 分类号: TN201
• 字数: 2533字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2002.09.023

摘要

通过数值模拟对半导体光放大器(SOA)的静态增益饱和特性进行了理论研究.分别在考虑和不考虑放大的自发辐射(ASE)的情况下,给出了连续光(CW)单光束入射时SOA的增益随入射光功率、注入电流和波长的变化以及有源区内载流子浓度的分布,并且在不考虑ASE的前提下,讨论了连续光双光束入射的情况,比较了两束光同向和相向入射时SOA增益和有源区内载流子浓度分布的差别.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄德修	华中科技大学光电子工程系	245	1938	20.0	28.0
2	洪伟	华中科技大学光电子工程系	8	75	5.0	8.0