利用X射线衍射、弱场介电温度谱、强场极化强度研究了不同La含量(Pb1- x La2 x /3)(Zr0.6Sn0.3Ti0.1O3(0.00≤ x ≤0.12)(PLZSnT)陶瓷的相变与电学特性.实验发现,随La含量增大,室温下材料由铁电三方相( x =0.00)转变为反铁电四方相(0.03≤ x ≤0.09)和立方相( x =0.12).介电测试表明,La含量增大,反铁电→顺电相变温度降低,峰值介电常量减小.在 x =0.06的PLZSnT三元相图中,反铁电四方相区扩大到Ti含量约为18 at%,该系统反铁电陶瓷具有"窄、斜"型双电滞回线和"三电滞回线";在高Zr、高Sn区,反铁电→顺电相变呈现弥散相变和介电频率色散特征,即反铁电极化弛豫现象.从ABO3钙钛矿结构的容忍因子( t )和反铁电相的结构特征出发,讨论了La对Pb(Zr,Sn,Ti)O3相变与电学性质的影响机理.