硅基(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜的制备及介电性能

• 作者: 丑修建 关新锋 吕勇博 张文栋 耿文平
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 溶胶-凝胶法 反铁电厚膜 介电性能 相变效应
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 35-39
• 分类号: TB34
• 字数: 3186字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.03.009

摘要

采用溶胶-凝胶工艺制备了具有高度(100)择优取向的(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜(厚约2.2μm).研究了该反铁电厚膜在不同温度下的电场诱导相变效应和不同电场强度下的温度诱导相变效应.结果表明:(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜在室温下处于反铁电态；随着温度升高,厚膜的相变开关电场强度逐渐降低,反铁电态越来越不稳定,当温度高于132℃且电场强度为0 kV/cm时,厚膜处于顺电态；随着外加电场强度的增大,厚膜的AFE(反铁电态)-FE(铁电态)相变温度向低温方向漂移,当电场强度大于164 kV/cm时,厚膜在室温下已处于铁电态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文栋	中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室	167	1172	16.0	26.0
2	耿文平	中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室	7	2	1.0	1.0
3	丑修建	中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室	49	225	9.0	13.0
4	关新锋	中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室	4	30	3.0	4.0
5	吕勇博	中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0