快速热处理对应变InGaAs GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响

• 作者: J.Wang Weikun Ge 卢励吾 张砚华 徐仲英 徐遵图 王占国
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 快速热处理 电子发射 DX中心
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 367-371
• 页数: 5页
• 分类号: TN
• 字数: 1938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.031

摘要

研究分子束外延(MBE)生长的应变In0.2Ga0.8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.结果表明,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心,提高77K光致发光效率和有源层电子发射.同时Al和Ga原子互扩散,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度.RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加.这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一.