碳纳米管(CNT)场发射显示器的关键技术的研究

• 作者: 刘卫华 朱长纯 李昕 王琪琨 皇甫鲁江
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 场发射显示器 化学气象沉积
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 694-696
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2485字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.05.021

摘要

对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极,结合一种弹性封装工艺,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器.该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示.器件的持续工作寿命测试已经超过5500小时,充分验证了碳纳米管作为场发射阴极的应用潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学电子与信息工程学院	215	2372	22.0	41.0
2	王琪琨	西安交通大学电子与信息工程学院	11	141	7.0	11.0
3	刘卫华	西安交通大学电子与信息工程学院	33	304	9.0	16.0
4	李昕	西安交通大学电子与信息工程学院	36	213	7.0	13.0
5	皇甫鲁江	西安交通大学电子与信息工程学院	8	62	3.0	7.0