【正】 Y2002-63234-117 0224666无空洞浅沟道隔离四乙氧基硅烷(TEOS)填料的脉冲压化学汽相淀积=Novel pulse pressure CVD for voidfree STI trench TEOS fill[会,英]/Nakamura,T.//2001 IEEE International Symposium on SemiconductorManufacturing.—117~120(E)0224667真空蒸发沉积18烷基取代螺吡喃薄膜的光致变色及光电子谱研究[刊]/季振国//真空科学与技术学报.—2002,22(4).—287~289(L)