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摘要:
【正】 Y2002-63234-117 0224666无空洞浅沟道隔离四乙氧基硅烷(TEOS)填料的脉冲压化学汽相淀积=Novel pulse pressure CVD for voidfree STI trench TEOS fill[会,英]/Nakamura,T.//2001 IEEE International Symposium on SemiconductorManufacturing.—117~120(E)0224667真空蒸发沉积18烷基取代螺吡喃薄膜的光致变色及光电子谱研究[刊]/季振国//真空科学与技术学报.—2002,22(4).—287~289(L)
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺
来源期刊 电子科技文摘 学科 工学
关键词 金属化 溅射方法 淀积 真空蒸发 TRENCH TEOS 四乙氧基硅烷 蒸发沉积 真空科学 光致变色
年,卷(期) 2002,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 23-24
页数 2页 分类号 TN305
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金属化
溅射方法
淀积
真空蒸发
TRENCH
TEOS
四乙氧基硅烷
蒸发沉积
真空科学
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研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子科技文摘
月刊
1009-0851
11-4388/TN
16开
1999
chi
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10413
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1
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71
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