突触后膜GluR2含量变化及脑继发性损害的实验研究

• 作者: 刘宝松 曾琳 陈恒胜 龙在云
• 来源期刊: 创伤外科杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 脑损伤 GluR2 α-氨基羟甲基异恶唑丙酸受体 自发兴奋性突触后电流
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 446-448
• 页数: 3页
• 分类号: R651-34
• 字数: 2356字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-4237.2003.06.015

摘要

目的探讨缺血损伤后神经元突触后膜谷氨酸α-氨基羟甲基异恶唑丙酸(AMPA)受体第二亚单位(GluR2)的含量、受体离子通透功能变化及其在延迟性细胞死亡中的作用.方法采用PI染色和双重免疫荧光技术定量观察神经元死亡和突触GluR2含量变化,以膜片钳技术检测自发兴奋性突触后电流(mEPSCs)的变化.结果缺氧后神经元死亡数量明显增加;膜表面GluR2总量、含GluR2的突触数目以及突触部位GluR2含量都明显降低(P<0.05),膜表面GluR2含量下降以突触部位为主;缺乏GluR2的受体通道功能明显增强.结论缺氧损伤可致突触后膜表面GluR2含量降低,形成缺乏GluR2的新的AMPA受体通道,介导了Ca2+的快速内流,引起神经元的延迟性死亡.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宝松	第三军医大学大坪医院野战外科研究所	24	162	8.0	12.0
2	曾琳	第三军医大学大坪医院野战外科研究所	19	129	7.0	11.0
3	陈恒胜	第三军医大学大坪医院野战外科研究所	21	125	7.0	10.0
4	龙在云	第三军医大学大坪医院野战外科研究所	17	87	6.0	8.0