Sb在Cu单晶电极上欠电位沉积的电化学和现场STM研究

• 作者: 吴继红 毛秉伟 汤儆 胡文云 颜佳伟
• 来源期刊: 电化学
• 学科: 化学
• 关键词: Sb Cu(100) Cu(111) 欠电位沉积 现场STM
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 393-401
• 页数: 9页
• 分类号: O646
• 字数: 4633字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3471.2003.04.003

摘要

应用循环伏安法和现场扫描隧道显微镜研究了在HClO4和H2SO4两种溶液中Sb于Cu(111)和Cu(100)电极上的欠电位沉积. 结果表明,不同的表面原子排列和强吸附阴离子的存在将明显影响Sb的欠电位沉积行为. 在结构较为开放的Cu(100)表面,Sb形成的欠电位沉积层结构也较为开放,并且伴随着表面合金的形成;而在密堆积的Cu(111)表面上,Sb形成了致密的单层结构. 又当Cu(111)表面存在强吸附的SO42-时,Sb原子首先在SO42-吸附层与Cu表面交接的新台阶处成核,随后通过取代SO42-向上一层晶面发展,表现出独特的成核-生长行为; 而在弱吸附的HClO4溶液中,Sb的欠电位沉积系以在晶面上随机形成一些单原子层高度的Sb岛为特征. 在Cu(100)表面,通过SO42-的诱导共吸附,欠电位沉积的Sb原子形成了开放性更大的(4×4)结构,不同于在HClO4溶液中所形成的(22×22)R45°结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛秉伟	固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系	4	26	2.0	4.0
2	汤儆	固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系	2	23	1.0	2.0
3	颜佳伟	固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系	2	2	1.0	1.0
4	吴继红	固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系	1	1	1.0	1.0
5	胡文云	固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系	1	1	1.0	1.0