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Sb在Cu单晶电极上欠电位沉积的电化学和现场STM研究
Sb在Cu单晶电极上欠电位沉积的电化学和现场STM研究
作者:
吴继红
毛秉伟
汤儆
胡文云
颜佳伟
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Sb
Cu(100)
Cu(111)
欠电位沉积
现场STM
摘要:
应用循环伏安法和现场扫描隧道显微镜研究了在HClO4和H2SO4两种溶液中Sb于Cu(111)和Cu(100)电极上的欠电位沉积. 结果表明,不同的表面原子排列和强吸附阴离子的存在将明显影响Sb的欠电位沉积行为. 在结构较为开放的Cu(100)表面,Sb形成的欠电位沉积层结构也较为开放,并且伴随着表面合金的形成;而在密堆积的Cu(111)表面上,Sb形成了致密的单层结构. 又当Cu(111)表面存在强吸附的SO42-时,Sb原子首先在SO42-吸附层与Cu表面交接的新台阶处成核,随后通过取代SO42-向上一层晶面发展,表现出独特的成核-生长行为; 而在弱吸附的HClO4溶液中,Sb的欠电位沉积系以在晶面上随机形成一些单原子层高度的Sb岛为特征. 在Cu(100)表面,通过SO42-的诱导共吸附,欠电位沉积的Sb原子形成了开放性更大的(4×4)结构,不同于在HClO4溶液中所形成的(22×22)R45°结构.
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期刊文献
内容分析
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文献信息
篇名
Sb在Cu单晶电极上欠电位沉积的电化学和现场STM研究
来源期刊
电化学
学科
化学
关键词
Sb
Cu(100)
Cu(111)
欠电位沉积
现场STM
年,卷(期)
2003,(4)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
393-401
页数
9页
分类号
O646
字数
4633字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1006-3471.2003.04.003
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
毛秉伟
固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系
4
26
2.0
4.0
2
汤儆
固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系
2
23
1.0
2.0
3
颜佳伟
固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系
2
2
1.0
1.0
4
吴继红
固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系
1
1
1.0
1.0
5
胡文云
固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系
1
1
1.0
1.0
传播情况
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引文网络
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共引文献
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节点文献
引证文献
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同被引文献
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参考文献(4)
二级参考文献(0)
2002(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2003(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2014(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
Sb
Cu(100)
Cu(111)
欠电位沉积
现场STM
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电化学
主办单位:
中国化学会
出版周期:
双月刊
ISSN:
1006-3471
CN:
35-1172/O6
开本:
大16开
出版地:
福建省厦门市厦门大学D信箱(化学楼)
邮发代号:
34-61
创刊时间:
1995
语种:
chi
出版文献量(篇)
1802
总下载数(次)
9
总被引数(次)
16377
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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