注意缺陷多动障碍儿童患者的事件相关电位研究

• 作者: 王慧聪 王改青 聂陆一
• 来源期刊: 临床神经病学杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 事件相关电位 注意缺陷多动障碍 儿童
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 224-225
• 页数: 2页
• 分类号: R749.94
• 字数: 1591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1648.2003.04.011

摘要

目的研究注意缺陷多动障碍(ADHD)儿童患者的事件相关电位(ERP)主要成分(P2、N2、P3潜伏期与波幅).方法用DSM-Ⅳ诊断标准确定ADHD病例组,以年龄、性别1:1匹配正常儿童为对照组.对所有儿童应用听觉Oddball模式诱发ERP,记录主要成分进行分析比较.结果 ADHD组靶刺激计数正确率显著低于对照组(P<0.01);ADHD组P2、N2潜伏期显著延长(P<0.05);P3潜伏期显著延长(P<0.01);N1～P2峰峰值显著低于对照组(P<0.05);两次记录P3波重复性显著低于对照组(P<0.05).结论 ADHD患儿主动注意功能减弱,被动注意亢进,抗干扰能力减弱.其额前区功能可能受损.