高半胱氨酸SAM膜电极的制备及其电化学行为研究

• 作者: 孙勤枢 王宁 王慧云 郁章玉 齐丽云
• 来源期刊: 曲阜师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 化学
• 关键词: 高半胱氨酸 SAM [Fe(CN)6]3-/4- 循环伏安 交流阻抗
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 85-87,96
• 页数: 4页
• 分类号: O646
• 字数: 2194字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5337.2003.01.023

摘要

研究了高半胱氨酸在金电极上形成单分子自组装膜的条件,并利用循环伏安法,交流阻抗谱研究了[Fe(CN)6]3-/4-在高半胱氨酸SAM膜电极上于不同pH值溶液中的电化学行为.循环伏安结果表明,在pH大于高半胱氨酸等电点的溶液中,[Fe(CN)6]3-/4-在膜电极上的循环伏安曲线峰电流明显降低,峰分离差增大,说明随pH值的增加,[Fe(CN)6]3-/4-离子对在SAM膜电极上的可逆性变差;交流阻抗图谱显示,由于SAM膜电极表面带负电荷时,[Fe(CN)6]3-/4-难以靠近电极表面,使其与电极表面的电子交换反应变得困难,在SAM膜电极上的电化学反应电阻Rct明显增加,并且随电解质溶液的pH增加而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙勤枢	济宁医学院化学教研室	20	109	5.0	10.0
2	王宁	济宁医学院化学教研室	27	118	5.0	10.0
3	王慧云	曲阜师范大学化学系	69	340	9.0	16.0
5	郁章玉	曲阜师范大学化学系	50	174	8.0	10.0
8	齐丽云	曲阜师范大学化学系	4	17	3.0	4.0