镜面反射自旋阀和磁隧道结中金属／氧化物界面电势场分布的研究

• 作者: 刘红荣 杨奇斌 王岩国 蔡灿英
• 来源期刊: 金属材料研究
• 学科: 工学
• 关键词: 磁电阻 电子全息 界面势场 磁隧道结 镜面反射自旋阀 箫脱基势阱
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 28-36
• 页数: 9页
• 分类号: TM27

摘要

利用电子全息方法测量了结构为Si／Ta(3．5nm)／Ni80Fe20(2nm)／Tr19Mn81(6nm)／Co90Fe10(1．5nm)／／oxidation／／Co90Fe10(2nm)／Cu(2．2nm)／Co90Fe10(1．5nm)／／oxidafion／／Ta(3nm)的镜面反射自旋阀和Si／Ta(5nm)／CoFe(15nm)／Al(1．9nm)／oxidation／Co(20nm)／Ta(5nm)的隧道结界面势场分布，电子和空穴分别聚集在界面两侧的金属和氧化物中，形成箫脱基势垒，自旋阀中金属／氧化物界面势垒高度为0．375电子伏／纳米。界面势场分布表明自旋阀中的纳米氧化层不完整，存在未完全氧化的金属颗粒。由于400℃热处理导致磁性金属原子向隧道结中的氧化层内的扩散并形成等电子陷阱，使得箫脱基势垒变为箫脱基势阱。