中国800 MeV电子储存环的头尾不稳定性研究

• 作者: 孙葆根 王筠华 金玉明 陈龙康
• 来源期刊: 深圳大学学报(理工版)
• 学科: 工学
• 关键词: 头尾不稳定性 清除电极 频率散度
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 46-51
• 页数: 6页
• 分类号: O572.211|TL501
• 字数: 3010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2618.2003.04.007

摘要

从理论上和实验上论证了我国800 MeV电子储存环的头尾不稳定性阈值流强比国内外同类加速器高出近百倍的原因.指出这是由于真空室中清除电极产生的八极矩分量使得粒子自由振荡频率有一个分散性,提供了足够的朗道阻尼的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙葆根	中国科技大学国家同步辐射实验室	5	29	2.0	5.0
2	陈龙康	深圳大学理学院	8	11	2.0	3.0
3	王筠华	中国科技大学国家同步辐射实验室	2	24	1.0	2.0
4	金玉明	中国科技大学国家同步辐射实验室	1	1	1.0	1.0