用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度

• 作者: 徐万劲 栾峰 王大军 章蓓 隋文辉 马晓宇
• 来源期刊: 北京大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 出光效率 InGaAlP量子阱 微结构
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 331-335
• 页数: 5页
• 分类号: TN312+.8|TN202|TN304.2+3|TN303|O472+.3
• 字数: 2954字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0479-8023.2003.03.006

摘要

针对半导体发光二极管(LED)出光效率低下的问题,提出了一个在LED顶部引入周期性微结构的新设想.根据这一设想,采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED.结果表明,这种新型LED在竖直方向的出射光强比不带微结构的LED有明显增强.这一成功为改进发光二极管的出光效率提供了新的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马晓宇	中国科学院半导体所	6	36	4.0	6.0