InGaAlP LED发光特性分析

• 作者: 郑智斌
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 InGaAlP 发光特性 发光强度 半强度角 支架
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 450-453
• 页数: 4页
• 分类号: TN383|TN312.8
• 字数: 2413字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2003.06.011

摘要

InGaAlP LED发光效率高,性能稳定,应用相当广泛.在InGaAlP LED的应用中,发光特性是相当重要的参数,而发光强度和半强度角是LED发光特性的两个主要参数.介绍了不同的InGaAlP LED芯片结构,分析了其发光特点及封装后的发光特性,讨论了不同的反射式支架结构对其发光特性产生的不同影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑智斌		3	15	2.0	3.0