碳纳米管场致发射结构的研究

• 作者: 李俊涛 雷威
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 冷阴极 纳米碳管 场致发射
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 15-17
• 页数: 3页
• 分类号: TN873
• 字数: 2496字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2003.01.004

摘要

碳纳米管以其特有的电学性质而成为一种优良的冷阴极材料.在场致发射器件中,真空度是决定发射稳定性的一个重要因素.如果碳纳米管阴极附近的真空度太低,将产生打火、气体电离、离子回轰阴极等问题,将导致阴极发射电流的迅速衰减.本文通过对基于碳纳米管冷阴极的二极管和三极管的场发射特性的实验,分析了残余气体压强与外加电压、发射体工作时间的关系以及碳纳米管阵列的I-E曲线,利用这些结果可以优化碳纳米管场致发射结构的设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷威	东南大学电子工程系	89	538	12.0	18.0
2	李俊涛	东南大学电子工程系	6	73	5.0	6.0