激光诱导制备纳米SiC粉体

• 作者: 杨柯 梁勇 王淑兰 线全刚
• 来源期刊: 沈阳工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 激光 制备 纳米 碳化硅
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 数学·物理·化学
• 页码范围: 170-172
• 页数: 3页
• 分类号: TH115.23
• 字数: 2012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1646.2003.02.026

摘要

以硅烷SiH4和乙炔C2H2为反应原料,采用激光诱导化学气相沉积制各(LICVD)理想纳米SiC粉体.用化学分析、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及比表面积(BET)等分析测试手段对粉体进行了表征,结果表明粉体中SiC含量高于98%,平均粒径为20nm,晶体结构为β-SiC,粉体产率大于200g/h,粉体中含氧量低于1%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨柯	中国科学院金属研究所	247	3876	32.0	51.0
2	梁勇	中国科学院金属研究所	88	1472	21.0	35.0
3	线全刚	中国科学院金属研究所	8	118	5.0	8.0
4	王淑兰	中国科学院金属研究所	2	19	1.0	2.0