900nm高功率半导体激光器线阵列

• 作者: 冯荣珠 花吉珍 辛国锋 陈国鹰
• 来源期刊: 激光与光电子学进展
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 半导体激光器阵列 分别限制结构 单量子阱
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 光电子器件与技术
• 页码范围: 43-44
• 页数: 2页
• 分类号: TN3
• 字数: 963字
• 语种: 中文

摘要

利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质.利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温,电流87A),斜率效率为0.64W/A.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈国鹰	河北工业大学信息学院微电子所	62	307	9.0	12.0
2	花吉珍	中国电子科技集团公司第十三研究所	18	74	5.0	7.0
3	冯荣珠	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	22	3.0	4.0
4	辛国锋	河北工业大学信息学院微电子所	9	47	5.0	6.0