玻璃中CdSeS量子点的PLE谱研究

• 作者: 刘炳灿 吴正龙 田强
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体量子点 光致发光激发光谱 光致发光谱 光吸收谱 CdSeS
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 页码范围: 636-639
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2482字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2003.05.013

摘要

用光致发光激发光(PLE)谱与光吸收谱和光致发光(PL)谱相结合,对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析.PLE谱表明带边激子发光的主要来源是1S3/2-1se和2S3/2-1se能态的电子弛豫,而缺陷态发光的来源除了1S3/2-1se和2S3/2-1se能态的电子弛豫外,还有更高能态的电子弛豫.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田强	北京师范大学物理学系	81	389	11.0	16.0
2	吴正龙	北京师范大学分析测试中心	41	276	7.0	15.0
3	刘炳灿	北京师范大学物理学系	14	25	4.0	4.0