反应堆快中子辐照硅的深能级及退火分析

• 作者: 张斌 温婷婷 王均平
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅半导体/深能级 快中子辐照
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 88-90
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 2767字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2003.03.029

摘要

利用反应堆快中子辐照控制电力半导体器件的少子寿命,器件电特性优于现有的扩金、扩铂、电子辐照和Co60-γ辐照等少子寿命控制技术.介绍了反应堆快中子辐照场特性及其在N型NTD硅中产生的深能级位置及退火特性,论证了主要复合能级应是Ec-0.44eV能级,同时论证了其他次要能级对改善元件通态压降的重要性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张斌	清华大学核能研究院	56	870	15.0	28.0
2	温婷婷	清华大学核能研究院	2	4	1.0	2.0
3	王均平	清华大学核能研究院	4	21	1.0	4.0