电子储存环中插入元件的非线性束流动力学的Lie代数方法

• 作者: 冯光耀 刘祖平 徐宏亮 李为民 李永军 王琳
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子储存环 插入元件 哈密顿系统 Lie代数和Lie映射
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 加速器
• 页码范围: 819-823
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3110字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2003.09.015

摘要

介绍了用能保证哈密顿系统"辛"性质的Lie映射方法来研究电子储存环中的插入元件对束流动力学的影响.并以此方法对合肥光源中将要安装的波荡器UD-1对储存环的影响作了初步的研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王琳	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	130	1264	16.0	33.0
2	刘祖平	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	38	177	7.0	11.0
3	李为民	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	106	902	17.0	26.0
4	徐宏亮	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	56	141	6.0	7.0
5	冯光耀	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	28	196	7.0	13.0
6	李永军	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	23	214	6.0	14.0