低阻抗二极管产生的强流电子束能谱分布的数值模拟

• 作者: 刘国治
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束 二极管 能谱分布
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 801-804
• 页数: 4页
• 分类号: TL501
• 字数: 2693字
• 语种: 中文

摘要

给出了低阻抗二极管产生的电子束能谱分布及外加磁场对二极管阻抗影响的数值模拟研究结果.结果表明,即使在外加电压恒定的条件下,二极管产生的电子束也具有一定的能谱分布,这说明用二极管电压、电流波形计算脉冲电子束能谱分布是不正确的.另外,外加磁场对低阻抗二极管的阻抗特性具有较大影响,其阻抗随外加磁场的增大而减小.分析认为这是由于外加磁场强度的变化改变了二极管中束电子的运动轨迹.当没有外加磁场或外加磁场较小时,低阻抗二极管产生的电子束发生自箍缩,此时二极管电流是自箍缩饱和顺位流;当外加磁场足够强时,电子束的自箍缩被抑制,二极管电流是没有箍缩时的空间电荷限制电流.束电流小于自箍缩临界电流的二极管其阻抗将不随外加磁场的变化而变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国治		63	824	15.0	26.0