直接带隙硅基超晶格Ⅵ(A)/Sim/Ⅵ(B)/Sim/Ⅵ(A)的设计

• 作者: 张建立 朱梓忠 李惠萍 黄美纯
• 来源期刊: 厦门大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: Si基光电材料 Si/Ⅵ超晶格 能带结构 理论计算
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 快讯
• 页码范围: 265-269
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5
• 字数: 1818字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2003.03.001

摘要

Si基光发射材料由于它具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势,是光电子集成(OEIC)工程应用的首选材料.但由于体材料Si属于间接带隙半导体,不可能成为有效的光发射体.如何设计具有直接带隙硅基材料,备受实验研究工作者和材料设计理论工作者的关注.本文介绍一种新的硅基超晶格Ⅵ(A)/Sim/Ⅵ(B)/Sim/Ⅵ(A) 的能带结构计算.在密度泛函理论框架内,采用混合基从头算赝势法模拟计算表明,其中Se/Si6/O/Si6/Se 及Se/Si6/S/Si6/Se超晶格具有相当理想的直接带隙特征,其带隙处于红外波段.预期这类新材料及有关器件会有优越的光发射和各种光学性能,其制作也可较方便地与硅微电子工艺兼容.预计该材料在信息光电子领域将有强大的应用潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄美纯	厦门大学物理学系	35	129	7.0	8.0
2	朱梓忠	厦门大学物理学系	50	186	7.0	10.0
3	张建立	厦门大学物理学系	2	8	1.0	2.0
4	李惠萍	厦门大学物理学系	2	8	1.0	2.0