电化学沉积法制备类石墨相氮化碳

• 作者: 曹传宝 朱鹤孙 李超
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学沉积 氮化碳 CNx薄膜 类石墨相的氮化碳
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 905-908
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 3493字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2003.09.006

摘要

用Si(100)基片做衬底, 1︰1.5的三聚氯氰和三聚氰胺的丙酮饱和溶液为沉积液, 在室温常压下用电化学的方法沉积了CNx薄膜. X射线衍射(XRD)测试显示, 衍射花样中出现的衍射峰所对应的晶面间距与文献计算的类石墨相氮化碳(g-C3N4)的结构数据较为吻合, 实验晶胞参数为a = 4.79, c = 6.90, 与文献的值a = 4.74, c = 6.72的误差分别为1.05%和2.68% . X射线光电子能谱(XPS)结果表明沉积的薄膜中主要元素为C, N, 且N/C = 0.75, C1s和N1s的结合能谱中287.72 eV的碳和400.00 eV的氮是样品中碳氮的主体, 以C3N3杂环的形式存在. 傅里叶转换红外光谱(FTIR)在800, 1310和1610 cm-1的吸收峰也表明薄膜中存在三嗪环(C3N3), 和X射线光电子能谱的分析结果一致. Teter等人预言的g-C3N4在结构形式上和三聚氰胺的完美脱胺缩聚物是一样的, 红外光谱和X射线光电子能谱表明在样品中存在三嗪环(C3N3), 支持XRD的实验结果. 以上结果说明CNx薄膜中有g-C3N4晶体存在.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李超	北京理工大学材料科学研究中心	47	380	11.0	17.0
3	曹传宝	北京理工大学材料科学研究中心	65	754	16.0	23.0
4	朱鹤孙	北京理工大学材料科学研究中心	81	1121	19.0	28.0