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类石墨氮化碳薄膜的电化学沉积
类石墨氮化碳薄膜的电化学沉积
作者:
吕强
张加涛
曹传宝
朱鹤孙
李超
项顼
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
电化学沉积
氮化碳
CNx薄膜
g-C3N4
摘要:
用1:1.5的三聚氯氰和三聚氰胺的饱和乙腈溶液为沉积液,在Si(100)衬底上室温常压下电化学沉积了CNx薄膜.用X射线光电子能谱(XPS)、傅立叶转换红外光谱(FTIR)、X射线衍射图谱(XRD)对沉积的CNx薄膜进行了测试和分析.XRD的衍射峰的结构数据与文献计算的类石墨相氮化碳的结构数据较为吻合.XPS结果表明沉积的薄膜中主要元素为C、N,且N/C=0.81,C1s和N1s的结合能谱中287.84eV的碳和400.00eV的氮是样品中碳氮的主体,以C3N3杂环的形式存在.FTIR光谱中在800cm-1、1310cm-1和1610cm-1的吸收峰也表明薄膜中存在C3N3环,和XPS能谱的分析结果一致.Teter和Hemley预言的g-C3N4在结构形式上和三聚氰胺的完美脱胺缩聚物是一样的,红外光谱和X射线光电子能谱表明在样品中存在三嗪环(C3N3),支持XRD的实验结果.这说明CNx薄膜中有类石墨相的C3N4晶体存在.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名
类石墨氮化碳薄膜的电化学沉积
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
电化学沉积
氮化碳
CNx薄膜
g-C3N4
年,卷(期)
2003,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
252-256
页数
5页
分类号
O484
字数
2481字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.015
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李超
北京理工大学材料科学研究中心
47
380
11.0
17.0
3
曹传宝
北京理工大学材料科学研究中心
65
754
16.0
23.0
4
朱鹤孙
北京理工大学材料科学研究中心
81
1121
19.0
28.0
5
张加涛
北京理工大学材料科学研究中心
4
88
3.0
4.0
6
吕强
北京理工大学材料科学研究中心
13
198
9.0
13.0
9
项顼
北京理工大学材料科学研究中心
10
154
6.0
10.0
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节点文献
电化学沉积
氮化碳
CNx薄膜
g-C3N4
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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