SOIM新结构的制备及其性能的研究

• 作者: 刘卫丽 徐安怀 林成鲁 林青 谢欣云 门传玲
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜 SOIM新结构 多孔硅外延转移
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 207-210
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2417字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.01.038

摘要

制备在以SiO2为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题.为减少自加热效应和满足一些特殊器件/电路的要求,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非晶结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐安怀	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	20	94	7.0	8.0
2	林成鲁		44	595	15.0	23.0
3	刘卫丽	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	14	52	4.0	6.0
4	门传玲	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	8	68	6.0	8.0
5	谢欣云	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	7	33	4.0	5.0
6	林青	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	10	89	6.0	9.0