氘化锆的XRD与TG-DSC分析

• 作者: 彭述明 梁建华 龙兴贵
• 来源期刊: 中国工程物理研究院科技年报
• 学科: 化学
• 关键词: 氘化锆 钨杆发热 电阻镀膜机 蒸发成膜 氘化蒸镀
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 500-501
• 页数: 2页
• 分类号: O614.412

摘要

利用钨杆发热的电阻镀膜机对锆进行蒸发成膜，衬底选择金属钼。蒸镀之前，衬底经950℃的高温氢气还原后置于10^-5Pa的真空中1000℃脱气1h。氘化时，样品先在10^-4Pa真空中升温至550℃脱气，而后根据对样品的吸氘浓度要求，向氘化反应系统中充入理论计算的氘量，样品在降温过程中与充入的氘气进行反应。用于TG-DSC分析的体材氘化锆氘化时的初始氘气压强为2000Pa，其余的工艺参数与锆膜的氘化过程相同。实验所用金属材料的纯度均大于99．9％，气体纯度大于99％。