Nb5+掺杂与热处理对TiO2基材料气敏特性的影响

• 作者: 孙振翠 孙海波 王强 石礼伟 裴素华
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: TiO2 N2退火 Nb5+掺杂 长时效烧结
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 943-947
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3539字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.041

摘要

TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率PH,本文通过N2气氛高温退火、高价Nb5+掺杂和长时间烧结等方法,提高TiO2基敏感材料电导率获得成功.实验与理论证明:降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+形成固溶体,可使TiO2得到最佳半导化效果;采用长时间的烧结处理,促使Ti3+转化为Ti4+,进一步提高材料电导率和器件稳定性,从而为制造低阻、高灵敏度、高选择性动物食品测鲜传感器开辟了一条新途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王强	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	35	177	7.0	11.0
2	石礼伟	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	17	139	7.0	11.0
3	孙海波	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	19	104	6.0	9.0
4	裴素华	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	27	70	6.0	7.0
5	孙振翠	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	15	52	4.0	6.0