室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm多量子阱脊波导半导体激光器

• 作者: 张永刚 张雄 徐刚毅 李爱珍 郑燕兰 齐鸣
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 分子束外延
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 574-576
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4|TN365
• 字数: 2235字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.034

摘要

报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm 多量子阱脊波导半导体激光器.器件材料生长采用固态源分子束外延的方法,器件有源层采用应变补偿量子阱结构,激光器结构中引入了加宽波导的设计.制备的多量子阱激光器最高工作温度可达60 ℃,激射波长2.08 μm.室温下阈值电流为350 mA,20～50 ℃范围内特征温度为88 K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐刚毅	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	9	33	3.0	5.0
2	郑燕兰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	11	50	5.0	6.0
3	李爱珍	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	52	397	10.0	16.0
4	张雄	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	4	13	2.0	3.0
5	张永刚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	66	595	12.0	21.0