连续离子层吸附反应法制备(Zn,Cd)S薄膜及其性能

• 作者: 刘晓新 步绍静 程志捷 赵娟 邱继军 靳正国
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硫化锌镉薄膜 连续离子层吸附反应法 沉积
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 页码范围: 837-841
• 页数: 5页
• 分类号: TQ320.721|O484.4
• 字数: 2586字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.07.010

摘要

采用液相薄膜制备工艺--连续离子层吸附反应法(successive ionic layer adsorption and reaction,SILAR),在室温下,使用混合阳离子前驱体于玻璃衬底上制备了(Zn,Cd)S薄膜.采用X射线光电子谱分析薄膜的成分,测定紫外透射光谱,分析不同成分对薄膜光电性能的影响,并使用环境扫描电镜对薄膜的表面形貌进行观察.实验结果表明:SILAR法制备薄膜的生长速率约为3 nm/cycle.(Zn,Cd)S薄膜的成分偏离前驱体溶液中的n(Zn)/n(Cd)值,表现为Cd含量偏大,这与CdS和ZnS二者的溶度积不同有关.随着Cd含量的增加,薄膜的透射率和禁带宽度降低,电导率增大.通过控制前驱体混合溶液中不同阳离子间的比例可以得到带宽可调的复合硫化物薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	靳正国	天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	55	517	13.0	18.0
2	步绍静	天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	11	101	5.0	10.0
3	刘晓新	天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	9	93	5.0	9.0
4	赵娟	天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	3	45	3.0	3.0
5	邱继军	天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	13	108	7.0	10.0