去应力退火对Cu膜纳米压入蠕变性能影响的研究

• 作者: 徐可为 王飞
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: 残余应力 纳米压入 蠕变 退火
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 15-18,22
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.4
• 字数: 2812字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1007-9289.2004.05.004

摘要

在JGP560 V磁控溅射镀膜设备上镀制多晶Cu膜,选取沉积态和经过3 h去应力退火的退火态两种Cu膜,利用纳米压入技术测量了其室温下的蠕变性能.试验结果显示去应力退火后的Cu膜残余应力反而升高;且其室温蠕变性能与沉积态的Cu膜有很大的不同;随保载载荷升高,两种状态下的Cu膜蠕变应力指数均升高.分析认为这是由于退火造成膜基体系内应力的变化,同时减少了薄膜中的各种点缺陷和线缺陷,从而改变了Cu膜蠕变性能的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐可为	西安交通大学金属材料强度国家实验室	238	3333	30.0	44.0
2	王飞	西安交通大学金属材料强度国家实验室	42	448	11.0	20.0