Si对反应烧结SiC热电性能的影响

• 作者: 乔冠军 石尧文 金志浩 高积强
• 来源期刊: 陶瓷科学与艺术
• 学科: 工学
• 关键词: 热释电 反应烧结 碳化硅
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 科研与应用
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TQ17
• 字数: 2226字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7643.2004.01.002

摘要

SiC是一种具有良好应用前景的高温热电半导体材料,近年来一直得到广泛的关注和研究.本文对反应烧结SiC的热电性能进行了初步研究,发现该材料中的Si对其热电性能有显著的影响.经研究发现,这一影响只有在一定温度和一定残留Si的情况下才能表现出来.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高积强	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	69	664	17.0	20.0
2	金志浩	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	325	5024	34.0	51.0
3	乔冠军	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	112	1262	19.0	29.0
4	石尧文	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	2	48	1.0	2.0