温度和助剂含量对放电等离子 烧结SiC陶瓷的影响

• 作者: 高丁 孙世杰 焦健 中国航发北京航空材料研究院先进复合材料国防科技重点实验室
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 碳化硅 烧结温度 烧结助剂 微观形貌 力学性能
• 年，卷（期）: 2023,（3）
• 页码范围: 52-58
• 页数: 7页
• 语种: 中文

摘要

采用Al2O3-Y2O3-CaO作为烧结助剂制备SiC陶瓷，通过阿基米德排水法、XRD、SEM、TEM及维氏硬度测试等方法，探究烧结温度及烧结助剂含量对SiC陶瓷相对密度、物相结构、微观形貌和力学性能的影响。结果表明：在1300～1800℃下，SiC陶瓷相对密度、硬度以及断裂韧性都呈现出先增加后降低的趋势，在1700℃达到最大值；1700～1800℃发生了β-SiC向α-SiC的相变；减少烧结助剂含量会增加晶界结合强度，提升硬度，并抑制晶粒生长；在1700℃和7%(质量分数)烧结助剂含量的条件下，获得了最佳的烧结效果，相对密度、硬度和断裂韧度分别为97.9%,23.3 GPa和4.1 MPa·m1/2。